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        MOS場效應管輻射如何降低-MOS場效應管-竟業電子

        時間:2021/1/27閱讀:2269 關鍵詞:MOS場效應管

        超級結MOS場效應管如何讓輻射降低并提高效率

        超級結可在平面MOS場效應管應用中提高效率,并可降低導通電阻和寄生電容,但會產生電壓dv/dt和電流di/dt快速開關轉換,形成高頻噪聲和輻射EMI。

        快速開關超級結MOS場效應管要被驅動,要了解封裝和PCB布局寄生效影響開關性能,

        應用超級結所做PCB布局調整。 

         

        使用超級結MOS場效應管擊穿電壓=500-600V

        如下圖所示

        MOS場效應管輻射如何降低

         

        典型引線電感=10 nH,即可讓MOS場效應管di/dt=500 A/μs

        若:di/dt=500A/μs,10nH引線電感電壓VIND = 5 V

        10nH引線電感關斷di/dt=1,000 A /μs,產生電壓VIND = 10 V

         

        注意:附加電感產生電壓不可忽視;

        封裝總源極電感,綁定線和引腳電感降低,到可接受數值。

         

        布局寄生效應產生的噪聲

        可見布局寄生效應寄生電感+寄生電容

        1 cm走線電感=6-10 nH

         

        PCB頂部底部添加GND,電感值即可降低;

        如上圖b,布局中容性寄生效應原理

        寄生電容引起兩條相近走線或走線間與另一側地平面間。

         

        第二種電容件和地平面間電容。

        PCB 板兩面兩個并行走線增加電容+減少回路電感,即可減少電磁噪聲輻射。