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        英飛凌infineon H2S防護系統提高IGBT壽命-竟業電子

        時間:2020/6/30閱讀:1059 關鍵詞:英飛凌infineon

        獨樹一幟:IGBT模塊的先進H2S保護提高了壽命

        堅固性決定了在惡劣環境中使用的模塊的壽命和可靠性。特別是接觸硫化氫(H2S)對電子元件的使用壽命有著至關重要的影響。為了應對這一威脅,英飛凌infineon開發了一種獨特的保護功能。

         

        EconoPACK公司™ +帶溝槽的模塊™ IGBT4芯片組是Econo產品組合中的第一款,其特點是為逆變器提供這種新級別的保護。在造紙、采礦、廢水和石油化工加工以及橡膠工業中,H2S濃度達到臨界值的惡劣環境尤為明顯。

         

        H2S是功率半導體最重要的腐蝕性污染物。在運行期間,IGBT模塊通常被加熱到高溫水平。這與外加電壓和硫化氫污染一起,觸發了結晶硫化銅(Cu2S)的生長。這些導電結構生長在陶瓷基板上DCB的溝槽中,最壞的情況下會導致短路。由于IGBT模塊過早失效,逆變器的壽命會大大縮短。

         

        英飛凌infineon先進的H2S防護系統可在硫化氫到達敏感區域之前阻止硫化氫進入模塊。這不僅是獨一無二的,也是最有效的方法。

        模塊的所有電氣、熱力和機械參數不變,并保持與標準模塊相同的特性。因此,可以延長在惡劣環境條件下運行的系統的壽命。為了確保這一點,英飛凌infineon根據ISA 71.04-2013標準,設計了專有的HV-H2S測試,以使IGBT模塊在特定條件下運行合格。本標準規定了從“輕度(G1)”到“嚴重(GX)”的四種污染影響嚴重程度等級。英飛凌infineon的測試涵蓋了廣泛的工業應用,并提供了一種定量方法來評估IGBT模塊的可靠性。

         

        英飛凌InfineonH2S技術保護,IGBT模塊在規定的HV-H2S測試條件下不會出現枝晶生長。因此,根據ISA 71.04,“嚴酷(G3)”嚴重程度的上限(≤2000Å/50 ppb),預計壽命為20年。帶有保護功能的EconoPACK+只是簡單地替換了標準模塊,因此不需要進行昂貴和耗時的設計工作。此外,使用變頻器系統的公司可以節省額外的保護措施,如額外的房間通風、安裝區域的溫度和濕度控制,甚至可以節省變頻器的密封柜。